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ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

厂商名称:ON安森美
ULN2003ADR2G图片
元件分类:达林顿管
中文描述:
达林顿管,NPN,最大连续集电极电流500 mA,SOIC封装,表面贴装,16引脚,每片1芯片,Vce=50 V
英文描述:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R
数据手册:
在线购买:立即购买
ULN2003ADR2G概述
ULN2003ADR2G:高电压,大电流的达林顿阵列每个包含七个带有公共发射极的开集极达林顿对。适用于继电器驱动器,步进和直流有刷电机驱动器,灯驱动器,显示驱动器(LED和气体放电),线路驱动器和逻辑缓冲器。

集成抑制二极管,用于感性负载

输出可以并联以获得更高的电流

TTL/CMOS/PMOS/DTL兼容输入

输入引脚与输出引脚相对放置,以简化布局
ULN2003ADR2G中文参数
晶体管类型 NPN 最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V 直流
最大连续集电极电流 500 mA 最大集电极-基极截止电流 50?A
最大集电极-发射极电压 50 V 基电流 25mA
封装类型 SOIC 最高工作温度 +85°C
安装类型 表面贴装 长度 10mm
引脚数目 16 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
配置 宽度 4mm
晶体管配置 高度 1.5mm
每片芯片元件数目 1 最低工作温度 -20 °C
最小直流电流增益 1000
  
ULN2003ADR2G引脚图
ULN2003ADR2G引脚图
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